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BSS169 H6327 /MOSFET N-Ch 100V 90mA SOT-23-3
BSS169 H6327的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PG-SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:90 mA

Rds On-漏源导通电阻:6 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.9 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:2.1 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:360 mW

配置:Single

通道模式:Depletion

资格:AEC-Q101

封装:Cut Tape

封装:Reel

高度:1.1 mm

长度:2.9 mm

产品:MOSFET Small Signal

系列:BSS169

晶体管类型:1 N-Channel

类型:SIPMOS Small Signal Transistor

宽度:1.3 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:0.1 S

下降时间:27 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:2.7 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:11 ns

典型接通延迟时间:2.9 ns

零件号别名:BSS169H6327XT BSS169H6327XTSA1 SP000702572

单位重量:8 mg

供应商BSS169 H6327
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